iPhone & iPad

SanDisk и Toshiba создали сверхбыструю память 3D NAND для iPhone 7

8
8

В то время, как Apple готовится к презентации смартфонов нового поколения iPhone 6s, свежий анонс от двух лидеров рынка микрочипов проливает свет на возможности «яблочных» коммуникаторов выпуска 2016 года.

iphone-7-hajek-1

Компании Toshiba и SanDisk объявили о подготовке к производству первой в индустрии 48-слойной флэш-памяти NAND-типа ёмкостью 256 Гбит. Память в многослойном исполнении каждый из производителей может называть «первой в мире», поскольку число слоёв в каждом отдельном случае может быть уникальным. Так, компании Samsung, Intel и Micron эксплуатируют 32-слойную структуру 3D NAND, компания SK Hynix — 36-слойную, а Toshiba и SanDisk — 48-слойную.

При изготовлении нового 256-гигабитного модуля использовался 15-нанометровый литографический процесс, технология вертикальной компоновки и запись трех бит данных на транзистор (triple-level cell, TLC). Созданный сверхбыстрый чип подходит для использования в разных сферах, включая SSD, смартфоны, планшеты, карты памяти. SanDisk и Toshiba являются основными поставщиками флеш-памяти для iPhone 6, поэтому первым претендентом на сверхбыструю память считаются новые флагманы Apple.

iphone-7-hajek-2

Совсем недавно Toshiba и SanDisk начали закупку оборудования для производства многослойных чипов NAND и собираются запустить пилотное производство уже в этом году. Массовый выпуск памяти BiCS начнётся в первой половине 2016 года. Для производства 3D NAND компания Toshiba спешно перестраивает один из своих старых заводов — Fab2 в Иоккаичи.

Подобные чипы, как ожидается, будут достигать ёмкости 1 ТБ, тогда как максимум для Toshiba в смартфонах и планшетах составляет сейчас всего 64 ГБ.

8 комментариев

Написать комментарий