Технологии

Новые транзисторы IBM и Samsung позволят создать суперэффективные чипы. С ними смартфоны смогут работать неделю без подзарядки

173

IBM и Samsung совершили прорыв в разработке полупроводников — во время конференции IEDM в Сан-Франциско компании представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле.

В современных процессорах и чипсетах транзисторы расположены на поверхности кремния, а предложенные вертикальные транспортные полевые транзисторы (VTFET) размещены перпендикулярно друг другу.

По мнению IBM и Samsung, такая конструкция имеет два преимущества. Во-первых, это позволит им обойти многие ограничения производительности и расширить закон Мура за пределы существующей технологии нанолистов IBM. Во-вторых, что ещё более важно, конструкция приводит к меньшим потерям энергии благодаря большему току. По оценкам инженеров , VTFET приведёт к созданию процессоров, которые будут либо вдвое быстрее, либо потреблять на 85% меньше энергии, чем чипы, разработанные с транзисторами FinFET. IBM и Samsung утверждают, что однажды этот процесс позволит смартфонам работать целую неделю без подзарядки. Инженеры заверяют, что это также сделает некоторые энергоёмкие задачи, включая майнинг криптовалюты, более энергоэффективными и, следовательно, менее вредными для окружающей среды.

Пока IBM и Samsung не раскрыли сроки, в течение которых они планируют коммерциализировать дизайн. Стоит отметить, что это не единственные компании, которые пытаются преодолеть барьер в 1 нанометр. В июле Intel заявила, что планирует завершить разработку микросхем масштаба Ангстрема к 2024 году. Компания планирует совершить очередной прорыв, используя свой новый узел «Intel 20A» и транзисторы RibbonFET.

Приобрести новый MacBook, iPhone, iPad или другой гаджет Apple по выгодной цене вы можете в магазине AJ.ru. Нашим читателям — специальная скидка по промокоду Digger22.

Редакция Digger ведёт канал в Telegram. Подписывайтесь!

0 комментариев

Написать комментарий